电阻、电感与 MOS 源极负反馈
对应:0214–0216。这里 RS 或 LS 位于源极与地之间,不是栅极前的信号源电阻。
0214:先保留 ro 的低频模型
设源极电压 vx、负反馈阻抗 ZS,且衬底跟源极相连:
id=gm(vi−vx)+go(vo−vx),vx=ZSid.
代回并收集:
id[1+(gm+go)ZS]=gmvi+govo.
因此短路输出跨导与输出电阻为
GmS=viidvo=0=1+(gm+go)ZSgm,Zout=idvovi=0=ro+(1+gmro)ZS.
取 ZS=RS 并依序近似:
GmR≃1+gmRSgm≃RS1,Rout≃ro(1+gmRS)≃gmroRS.
低频、输出短路时 vx/vi=gmRS/[1+(gm+go)RS]。由 ig=sCGS(vi−vx),得到一阶输入电容系数
Cin=CGS1+(gm+go)RS1+goRS≃1+gmRSCGS.
这不是任意输出负载下通用的输入电容。vx/vi 会随漏极终端改变。
0215:源极电感负反馈
忽略 ro、CGD,但保留 CGS。令 vgs=vi−vx:
ig=sCGSvgs,is=(gm+sCGS)vgs,vx=sLSis.
所以
Zin=sCGSvgsvgs+sLS(gm+sCGS)vgs=sCGS1+sLS+CGSgmLS.
定义 ωT=gm/CGS,电阻项为 LSωT。只有在
ω0=1/LSCGS 附近,容性与感性虚部相消,输入才近似纯电阻。
若在求跨导时省略 CGS,上一节给
GmL≃1+sgmLSgm,Zout≃ro(1+sgmLS).
若保留 CGS,短路跨导则是
GmL=1+sgmLS+s2LSCGSgm.
因此教材的 GmL 与 Zin 使用不同层级的电容保留方式,必须分清。
0216:用 线性区 MOS 当负反馈电阻
两只 NMOS 的栅极同接 vi;M1 源极接 M2 漏极(节点 x),M2 源极接地。DC 几何关系:
VDS2=VGS2−VGS1.
M2 的 线性区 近似:
I2=KPL2W2[(VGS2−VT)VDS2−2VDS22].
分别微分:
go2=KPL2W2(VGS2−VT−VDS2),gm2=KPL2W2VDS2.
只有 VDS2≪VGS2−VT 才有
ro2≃[KP(W2/L2)(VGS2−VT)]−1,gm2≪go2.
两管电流相等给出
(gm1+go1+go2)vx=(gm1−gm2)vi+go1vo.
因此
Rout=ro1+ro2+gm1ro1ro2,
Gm,eff=gm1+go1+go2gm1go2+gm2(gm1+go1).
教材差异:输入电容。 M2 源极接地,其 CGS2 没有被源极跟随所自举。只计两个 CGS 时,
Cin=CGS1(1−Hx)+CGS2,Hx=vivxvo=0.
不能从此连接得到幻灯片的 (CGS1+CGS2)/(1+gm1ro2)。若另计 M2 的 CGD2,它应与 CGS1 一样乘 1−Hx。
必要近似
| 原式 → 简式 |
条件 |
失效情况 |
| gm+go→gm |
gmro≫1 |
低本征增益 |
| ro+(1+gmro)RS→ro(1+gmRS) |
被省的 RS≪ro(1+gmRS) |
串联项显著 |
| gm/(1+gmRS)→1/RS |
gmRS≫1 |
反馈深度不足 |
| Cin 分子 1+goRS→1 |
RS≪ro |
只用 gmro≫1 不够 |
| 忽略 s2LSCGS |
ω2LSCGS≪∣1+jωgmLS∣ |
共振附近 |
| 理想电感无额外热噪声 |
损耗电阻为零 |
真实 ESR/基板损耗 |
| M2 视为固定电阻 |
gm2 项相对保留项足够小 |
「0.2 V 很小」不是充分条件 |
不用 SFG:一个源极电压的消元已明确显示负反馈作用。
来源对照
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Spectre 仿真结果
本推导组的代表模型已完成 Spectre 验证;覆盖范围以所列网表为准,未逐一搭建所有幻灯片电路。
线性 AC 2 · MOS 电路 1 · 极零 0 · 瞬态 0:所列检查全部通过。
案例:degeneration、degeneration_zin、mos_degen
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