電阻、電感與 MOS 源極退化
對應:0214–0216。這裡 RS 或 LS 位於 source 與地之間,不是 gate 前的訊號源電阻。
0214:先保留 ro 的低頻模型
設 source 電壓 vx、退化阻抗 ZS,且 bulk 跟 source 相連:
id=gm(vi−vx)+go(vo−vx),vx=ZSid.
代回並收集:
id[1+(gm+go)ZS]=gmvi+govo.
因此短路輸出跨導與輸出電阻為
GmS=viidvo=0=1+(gm+go)ZSgm,Zout=idvovi=0=ro+(1+gmro)ZS.
取 ZS=RS 並依序近似:
GmR≃1+gmRSgm≃RS1,Rout≃ro(1+gmRS)≃gmroRS.
低頻、輸出短路時 vx/vi=gmRS/[1+(gm+go)RS]。由 ig=sCGS(vi−vx),得到一階輸入電容係數
Cin=CGS1+(gm+go)RS1+goRS≃1+gmRSCGS.
這不是任意輸出負載下通用的輸入電容。vx/vi 會隨 drain 終端改變。
0215:電感退化
忽略 ro、CGD,但保留 CGS。令 vgs=vi−vx:
ig=sCGSvgs,is=(gm+sCGS)vgs,vx=sLSis.
所以
Zin=sCGSvgsvgs+sLS(gm+sCGS)vgs=sCGS1+sLS+CGSgmLS.
定義 ωT=gm/CGS,電阻項為 LSωT。只有在
ω0=1/LSCGS 附近,容性與感性虛部相消,輸入才近似純電阻。
若在求跨導時省略 CGS,上一節給
GmL≃1+sgmLSgm,Zout≃ro(1+sgmLS).
若保留 CGS,短路跨導則是
GmL=1+sgmLS+s2LSCGSgm.
因此教材的 GmL 與 Zin 使用不同層級的電容保留方式,必須分清。
0216:用 triode MOS 當退化電阻
兩顆 NMOS 的 gate 同接 vi;M1 source 接 M2 drain(節點 x),M2 source 接地。DC 幾何關係:
VDS2=VGS2−VGS1.
M2 的 triode 近似:
I2=KPL2W2[(VGS2−VT)VDS2−2VDS22].
分別微分:
go2=KPL2W2(VGS2−VT−VDS2),gm2=KPL2W2VDS2.
只有 VDS2≪VGS2−VT 才有
ro2≃[KP(W2/L2)(VGS2−VT)]−1,gm2≪go2.
兩管電流相等給出
(gm1+go1+go2)vx=(gm1−gm2)vi+go1vo.
因此
Rout=ro1+ro2+gm1ro1ro2,
Gm,eff=gm1+go1+go2gm1go2+gm2(gm1+go1).
教材差異:輸入電容。 M2 source 接地,其 CGS2 沒有被 source 跟隨所自舉。只計兩個 CGS 時,
Cin=CGS1(1−Hx)+CGS2,Hx=vivxvo=0.
不能從此連線得到投影片的 (CGS1+CGS2)/(1+gm1ro2)。若另計 M2 的 CGD2,它應與 CGS1 一樣乘 1−Hx。
必要近似
| 原式 → 簡式 |
條件 |
失效情況 |
| gm+go→gm |
gmro≫1 |
低 intrinsic gain |
| ro+(1+gmro)RS→ro(1+gmRS) |
被省的 RS≪ro(1+gmRS) |
串聯項顯著 |
| gm/(1+gmRS)→1/RS |
gmRS≫1 |
弱退化 |
| Cin 分子 1+goRS→1 |
RS≪ro |
只用 gmro≫1 不夠 |
| 忽略 s2LSCGS |
ω2LSCGS≪∣1+jωgmLS∣ |
共振附近 |
| 理想電感無額外熱雜訊 |
損耗電阻為零 |
真實 ESR/基板損耗 |
| M2 視為固定電阻 |
gm2 項相對保留項足夠小 |
「0.2 V 很小」不是充分條件 |
不用 SFG:一個 source 電壓的消元已明確顯示負回授作用。
來源對照
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PDF 頁 |
書本頁 |
講解所在 PDF 頁 |
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Spectre 仿真結果
本推導組的代表模型已完成 Spectre 驗證;覆蓋範圍以所列 netlist 為準,未逐一搭建所有投影片電路。
線性 AC 2 · MOS 電路 1 · 極零 0 · 暫態 0:所列檢查全部通過。
案例:degeneration、degeneration_zin、mos_degen
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