ANALOG DESIGN ESSENTIALS · CHAPTER 02

源极负反馈与可调跨导

从电路方程到教材结论 · 每步必要近似 · 原图与讲解可追溯

本组继承 共同模型与假设。含教材符号、近似或模型差异,请连同相应说明阅读。

电阻、电感与 MOS 源极负反馈

对应:0214–0216。这里 RSR_S 或 LSL_S 位于源极与地之间,不是栅极前的信号源电阻。

0214:先保留 ror_o 的低频模型

设源极电压 vxv_x、负反馈阻抗 ZSZ_S,且衬底跟源极相连:

id=gm(vi−vx)+go(vo−vx),vx=ZSid.i_d=g_m(v_i-v_x)+g_o(v_o-v_x),\qquad v_x=Z_Si_d.

代回并收集:

id[1+(gm+go)ZS]=gmvi+govo.i_d[1+(g_m+g_o)Z_S]=g_mv_i+g_ov_o.

因此短路输出跨导与输出电阻为

GmS=idvi∣vo=0=gm1+(gm+go)ZS,Zout=void∣vi=0=ro+(1+gmro)ZS.G_{mS}=\left.\frac{i_d}{v_i}\right|_{v_o=0} =\frac{g_m}{1+(g_m+g_o)Z_S},\qquad Z_{\rm out}=\left.\frac{v_o}{i_d}\right|_{v_i=0} =r_o+(1+g_mr_o)Z_S.

取 ZS=RSZ_S=R_S 并依序近似:

GmR≃gm1+gmRS≃1RS,Rout≃ro(1+gmRS)≃gmroRS.G_{mR}\simeq\frac{g_m}{1+g_mR_S}\simeq\frac1{R_S}, \qquad R_{\rm out}\simeq r_o(1+g_mR_S)\simeq g_mr_oR_S.

低频、输出短路时 vx/vi=gmRS/[1+(gm+go)RS]v_x/v_i=g_mR_S/[1+(g_m+g_o)R_S]。由 ig=sCGS(vi−vx)i_g=sC_{GS}(v_i-v_x),得到一阶输入电容系数

Cin=CGS1+goRS1+(gm+go)RS≃CGS1+gmRS.C_{\rm in}=C_{GS}\frac{1+g_oR_S}{1+(g_m+g_o)R_S} \simeq\frac{C_{GS}}{1+g_mR_S}.

这不是任意输出负载下通用的输入电容。vx/viv_x/v_i 会随漏极终端改变。

0215:源极电感负反馈

忽略 ror_o、CGDC_{GD},但保留 CGSC_{GS}。令 vgs=vi−vxv_{gs}=v_i-v_x:

ig=sCGSvgs,is=(gm+sCGS)vgs,vx=sLSis.i_g=sC_{GS}v_{gs},\quad i_s=(g_m+sC_{GS})v_{gs},\quad v_x=sL_Si_s.

所以

Zin=vgs+sLS(gm+sCGS)vgssCGSvgs=1sCGS+sLS+gmLSCGS.Z_{\rm in}=\frac{v_{gs}+sL_S(g_m+sC_{GS})v_{gs}}{sC_{GS}v_{gs}} =\frac1{sC_{GS}}+sL_S+\frac{g_mL_S}{C_{GS}}.

定义 ωT=gm/CGS\omega_T=g_m/C_{GS},电阻项为 LSωTL_S\omega_T。只有在 ω0=1/LSCGS\omega_0=1/\sqrt{L_SC_{GS}} 附近,容性与感性虚部相消,输入才近似纯电阻。

若在求跨导时省略 CGSC_{GS},上一节给

GmL≃gm1+sgmLS,Zout≃ro(1+sgmLS).G_{mL}\simeq\frac{g_m}{1+sg_mL_S},\qquad Z_{\rm out}\simeq r_o(1+sg_mL_S).

若保留 CGSC_{GS},短路跨导则是

GmL=gm1+sgmLS+s2LSCGS.G_{mL}=\frac{g_m}{1+sg_mL_S+s^2L_SC_{GS}}.

因此教材的 GmLG_{mL} 与 ZinZ_{\rm in} 使用不同层级的电容保留方式,必须分清。

0216:用 线性区 MOS 当负反馈电阻

两只 NMOS 的栅极同接 viv_i;M1 源极接 M2 漏极(节点 xx),M2 源极接地。DC 几何关系:

VDS2=VGS2−VGS1.V_{DS2}=V_{GS2}-V_{GS1}.

M2 的 线性区 近似:

I2=KPW2L2[(VGS2−VT)VDS2−VDS222].I_2=KP\frac{W_2}{L_2} \left[(V_{GS2}-V_T)V_{DS2}-\frac{V_{DS2}^2}{2}\right].

分别微分:

go2=KPW2L2(VGS2−VT−VDS2),gm2=KPW2L2VDS2.g_{o2}=KP\frac{W_2}{L_2}(V_{GS2}-V_T-V_{DS2}),\quad g_{m2}=KP\frac{W_2}{L_2}V_{DS2}.

只有 VDS2≪VGS2−VTV_{DS2}\ll V_{GS2}-V_T 才有

ro2≃[KP(W2/L2)(VGS2−VT)]−1,gm2≪go2.r_{o2}\simeq[KP(W_2/L_2)(V_{GS2}-V_T)]^{-1},\qquad g_{m2}\ll g_{o2}.

两管电流相等给出

(gm1+go1+go2)vx=(gm1−gm2)vi+go1vo.(g_{m1}+g_{o1}+g_{o2})v_x =(g_{m1}-g_{m2})v_i+g_{o1}v_o.

因此

Rout=ro1+ro2+gm1ro1ro2,R_{\rm out}=r_{o1}+r_{o2}+g_{m1}r_{o1}r_{o2}, Gm,eff=gm1go2+gm2(gm1+go1)gm1+go1+go2.G_{m,\rm eff} =\frac{g_{m1}g_{o2}+g_{m2}(g_{m1}+g_{o1})} {g_{m1}+g_{o1}+g_{o2}}.

教材差异:输入电容。 M2 源极接地,其 CGS2C_{GS2} 没有被源极跟随所自举。只计两个 CGSC_{GS} 时,

Cin=CGS1(1−Hx)+CGS2,Hx=vxvi∣vo=0.C_{\rm in}=C_{GS1}(1-H_x)+C_{GS2},\qquad H_x=\left.\frac{v_x}{v_i}\right|_{v_o=0}.

不能从此连接得到幻灯片的 (CGS1+CGS2)/(1+gm1ro2)(C_{GS1}+C_{GS2})/(1+g_{m1}r_{o2})。若另计 M2 的 CGD2C_{GD2},它应与 CGS1C_{GS1} 一样乘 1−Hx1-H_x。

必要近似

原式 → 简式 条件 失效情况
gm+go→gmg_m+g_o\to g_m gmro≫1g_mr_o\gg1 低本征增益
ro+(1+gmro)RS→ro(1+gmRS)r_o+(1+g_mr_o)R_S\to r_o(1+g_mR_S) 被省的 RS≪ro(1+gmRS)R_S\ll r_o(1+g_mR_S) 串联项显著
gm/(1+gmRS)→1/RSg_m/(1+g_mR_S)\to1/R_S gmRS≫1g_mR_S\gg1 反馈深度不足
CinC_{\rm in} 分子 1+goRS→11+g_oR_S\to1 RS≪roR_S\ll r_o 只用 gmro≫1g_mr_o\gg1 不够
忽略 s2LSCGSs^2L_SC_{GS} ω2LSCGS≪∣1+jωgmLS∣\omega^2L_SC_{GS}\ll|1+j\omega g_mL_S| 共振附近
理想电感无额外热噪声 损耗电阻为零 真实 ESR/基板损耗
M2 视为固定电阻 gm2g_{m2} 项相对保留项足够小 「0.2 V 很小」不是充分条件

不用 SFG:一个源极电压的消元已明确显示负反馈作用。

来源对照

幻灯片 PDF 页 书本页 讲解所在 PDF 页
0214 56 57 56, 57
0215 57 58 57
0216 57 58 57

Spectre 仿真结果

本推导组的代表模型已完成 Spectre 验证;覆盖范围以所列网表为准,未逐一搭建所有幻灯片电路。

线性 AC 2 · MOS 电路 1 · 极零 0 · 瞬态 0:所列检查全部通过。

案例:degeneration、degeneration_zin、mos_degen

查看本组波形、模型条件与 CSV → · 仿真 Markdown 解释

来源幻灯片与讲解定位(3 张)
原书幻灯片 0214
0214 · PDF 56/书本 57 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0215
0215 · PDF 57/书本 58 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0216
0216 · PDF 57/书本 58 · 原图及完整讲解