單極點、GBW 與尺寸練習
對應:027–0210;027–028 共用同一電路。
輸出電容主導:027–028
令 R=ro∥RL,只保留輸出 CL。由 KCL
(R1+sCL)vo=−gmvi⇒av(s)=1+sRCL−gmR.
因此
A0=gmR,ωp=RCL1,BW=2πRCL1.
幅度與相對低頻的相位:
∣av(jω)∣=1+(ω/ωp)2A0,Δϕ=−tan−1(ω/ωp).
在 ωp 幅度下降 20log10(1/2)=−3.0103 dB,相對相位為 −45∘。高頻幅度正比 1/ω,所以每十倍頻下降 20 dB。
由定義相乘可精確消去 R:
GBW≡A0BW=2πCLgm.
但單位增益交越頻率另由 ∣av∣=1 解得
fu=BWA02−1=GBW1−A0−2(A0>1).
所以圖上把 fu 標成 GBW,還用了 A0≫1。圖中的相位是相對相位;共源級的固定反相不可遺忘。
029:依教材定義逐步重算
規格 GBW=100 MHz、CL=3 pF,故
gm=2π(100×106)(3×10−12)=1.88496 mS.
選擇而非推導出 VOV=0.2 V,則
IDgm=VOV2=10 V−1,ID=2gmVOV=188.50 μA.
本書 Kn′=50 μA/V2,沒有額外 1/2:
LW=Kn′VOV2ID=94.248.
再選擇 L=4Lmin=2 μm,可得 W=188.50 μm。
若按教材先把 gm 取整為 2 mS,就得到 ID=0.2 mA、W/L=100、W=200 μm。這些是取整差異,不是模型不一致。
FOM=IDGBWCL=1591.55 MHz⋅pF/mA≃1500(採 0.2 mA 的取整電流).
0210:只有輸入電容
訊號源經 RS 驅動 gate,CGS 接地,輸出沒有電容:
RSvg−vi+sCGSvg=0,vo=−gmrovg.
av=1+sRSCGS−gmro,BW=2πRSCGS1,GBW=2πCGSgmRSro.
在此電容模型中定義 fT=gm/(2πCGS),便是教材 fTro/RS。
若再採 CGS≃αCoxWL(長通道常用 α≃2/3),則
GBW≃παRSCoxWVOVVE.
所以圖上的 1/(WCoxVOV) 是省略固定係數的比例關係,不是量綱完整的等式。
必要近似與失效條件
| 步驟 |
原式 → 簡式 |
必要條件 |
失效時 |
| 單極點 |
完整寄生網路 → 一個 CL 或 CGS |
其他極點高於關注頻带 |
不能再從 A0BW 預測實際交越 |
| 交越 |
A02−1→A0 |
A0≫1 |
A0 接近 1 時誤差很大 |
| 電容尺度 |
CGS→αCoxWL |
忽略 overlap、fringing,強反轉 |
短通道、小尺寸 |
| 設計電壓 |
指定 VOV=0.2 V |
教材的設計選擇,須另查製程 |
不能把這個選擇當規格唯一解 |
方法與驗算
不用 SFG:兩個互不回授的一階關係直接相乘最清楚。數值檢查包括未取整及取整的 029 解,以及 GBW 與實際 fu 的差異。
來源對照
| 投影片 |
PDF 頁 |
書本頁 |
講解所在 PDF 頁 |
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54 |
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| 028 |
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| 029 |
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| 0210 |
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55 |
54 |
Spectre 仿真結果
本推導組的代表模型已完成 Spectre 驗證;覆蓋範圍以所列 netlist 為準,未逐一搭建所有投影片電路。
線性 AC 1 · MOS 電路 1 · 極零 0 · 暫態 0:所列檢查全部通過。
案例:loaded_cs、mos_cs
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