单极点、GBW 与尺寸练习
对应:027–0210;027–028 共用同一电路。
输出电容主导:027–028
令 R=ro∥RL,只保留输出 CL。由 KCL
(R1+sCL)vo=−gmvi⇒av(s)=1+sRCL−gmR.
因此
A0=gmR,ωp=RCL1,BW=2πRCL1.
幅度与相对低频的相位:
∣av(jω)∣=1+(ω/ωp)2A0,Δϕ=−tan−1(ω/ωp).
在 ωp 幅度下降 20log10(1/2)=−3.0103 dB,相对相位为 −45∘。高频幅度正比 1/ω,所以每十倍频下降 20 dB。
由定义相乘可精确消去 R:
GBW≡A0BW=2πCLgm.
但单位增益交越频率另由 ∣av∣=1 解得
fu=BWA02−1=GBW1−A0−2(A0>1).
所以图上把 fu 标成 GBW,还用了 A0≫1。图中的相位是相对相位;共源级的固定反相不可遗忘。
029:依教材定义逐步重算
规格 GBW=100 MHz、CL=3 pF,故
gm=2π(100×106)(3×10−12)=1.88496 mS.
选择而非推导出 VOV=0.2 V,则
IDgm=VOV2=10 V−1,ID=2gmVOV=188.50 μA.
本书 Kn′=50 μA/V2,没有额外 1/2:
LW=Kn′VOV2ID=94.248.
再选择 L=4Lmin=2 μm,可得 W=188.50 μm。
若按教材先把 gm 取整为 2 mS,就得到 ID=0.2 mA、W/L=100、W=200 μm。这些是取整差异,不是模型不一致。
FOM=IDGBWCL=1591.55 MHz⋅pF/mA≃1500(采 0.2 mA 的取整电流).
0210:只有输入电容
信号源经 RS 驱动栅极,CGS 接地,输出没有电容:
RSvg−vi+sCGSvg=0,vo=−gmrovg.
av=1+sRSCGS−gmro,BW=2πRSCGS1,GBW=2πCGSgmRSro.
在此电容模型中定义 fT=gm/(2πCGS),便是教材 fTro/RS。
若再采 CGS≃αCoxWL(长沟道常用 α≃2/3),则
GBW≃παRSCoxWVOVVE.
所以图上的 1/(WCoxVOV) 是省略固定系数的比例关系,不是量纲完整的等式。
必要近似与失效条件
| 步骤 |
原式 → 简式 |
必要条件 |
失效时 |
| 单极点 |
完整寄生网络 → 一个 CL 或 CGS |
其他极点高于关注频带 |
不能再从 A0BW 预测实际交越 |
| 交越 |
A02−1→A0 |
A0≫1 |
A0 接近 1 时误差很大 |
| 电容尺度 |
CGS→αCoxWL |
忽略 交叠电容、边缘电容,强反转 |
短沟道、小尺寸 |
| 设计电压 |
指定 VOV=0.2 V |
教材的设计选择,须另查工艺 |
不能把这个选择当规格唯一解 |
方法与验算
不用 SFG:两个互不反馈的一阶关系直接相乘最清楚。数值检查包括未取整及取整的 029 解,以及 GBW 与实际 fu 的差异。
来源对照
| 幻灯片 |
PDF 页 |
书本页 |
讲解所在 PDF 页 |
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| 028 |
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| 029 |
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