第二章:模型、符号与阅读方式
这一章的推导对照原书幻灯片 021–0272。重复的模型合并成 20 组,索引仍逐张保留。目标是从图上的器件与连接创建方程,再判断教材结论在哪些条件下成立。
三种不同的结论
- 模型内精确:由指定的小信号等效电路解出的式子,仍受该等效模型限制。
- 有条件近似:明列被忽略的项、必要不等式及失效情况。
- 教材差异/待厘清:原式的系数、符号或定义无法与同页模型一致时,保留原式并说明;不把不一致的公式标成已证明。
各组末尾的符号验算会对照 KCL 或矩阵解。数值曲线是这些方程的计算结果,不是 SPICE 或器件实验。
全章共同约定
| 符号 | 意义 |
|---|---|
| 用 Hz, 用 rad/s;不可漏掉 | |
| 有号电压传输;共源级的低频值为负 | |
| 正值低频增益大小;教材部分 实际采此定义 | |
| 与原书 同义 | |
| NMOS 过驱动;PMOS 使用 | |
| 本书 ,而 ;不能再多乘一次 | |
| 本书 MOS 的有效厄利电压;避免与后文直接写成 的记法混淆 | |
| CMOS 反相器的总跨导;匹配时 | |
| 请依各图分清「信号源串联电阻」与「源极负反馈电阻」;两者不是同一拓扑 |
第一章幻灯片 0121–0122 已定义 与 。第二章 029 的数值题必须使用这个定义。
每组推导共同继承的假设
| ID | 原始问题 → 采用模型 | 成立条件与理由 | 失效情况 |
|---|---|---|---|
| A0 | 非线性 → 工作点的一阶微分 | 扰动足够小;二阶以上项比一阶项小 | 大信号、截止、离开饱和、失真分析 |
| A1 | DC 电压源 → AC 地;理想 DC 电流源 → AC 开路 | 理想偏置模型 | 真实偏置源有限阻抗必须另加 或其频率模型 |
| A2 | 任意器件模型 → 本书长沟道强反转平方律 | 强反转、饱和、固定 ;推导 时采局部近似 | 弱反转、速度饱和、短沟道或 随偏置显著变化 |
| A3 | 一般四端 MOS → | 只有衬底接源极,或明确忽略体效应才可用 | 衬底固定、源极摆动;应保留 |
| A4 | 完整寄生网络 → 该节明列的电容 | 被省略电容在关注频带的导纳足够小 | 隐藏极点、零点或前馈路径进入频带 |
「精确」均指 A0 等假设指定的模型内精确,不等同真实工艺的完全精确。
Physical / Causal SFG 核心原则
先列独立的局部物理约束,再选择电压、电流中间变量,最后按约束的因果方向建边。不先求整体传递函数,不默认全电压节点,也不消元为最少节点的 algebraic SFG。
- MOS 跨导用电压 → 电流,电容用端电压差 → 电流,电阻/阻抗优先用电流 → 电压,电导用电压 → 电流。
- 每个独立约束只用一次,禁止同时使用一个方程及其反解制造反馈。一个约束有多项时,各项分别建边,但共用同一约束编号。
- 边系数优先保留独立器件的 、、、、 或带符号的 1,避免预先揉合多个元件。
- 输出固定为 A 节点与理由、B 独立约束、C 边表、D ASCII SFG、E 正向路径与反馈环路、F 逐边对应约束。
- 原有整体公式与近似分析作为单独折叠资料保留,不用于倒推 SFG。
只有在反馈、前馈或局部环路值得解释时才画信号流图。
本章只选三组:
- 米勒电容:保留输入反馈及输出前馈,解释右半平面零点。
- 高频源极跟随器:保留 的双向耦合与正向旁路,解释极点和峰化。
- 增益增强:将辅助级明确展开为受控源、电阻和电容等效模型,保留局部负反馈与电容支路。
其余用微分、KCL、阻抗或二节点矩阵即可。SFG 采用 独立物理约束 JSON → A–F Markdown/边表/DOT → Graphviz → SVG;保留全部源文件和逐边约束编号。
理论推导与后续仿真的界线
本文档先完成理论推导与代数验算;各节原有数值图仍属方程计算。后续已另行运行 Spectre:包括 20 组的代表线性模型、MOS1 教学晶体管的 gm/Id 查表选尺寸、极零与瞬态。页面添加的「Spectre 仿真结果」入口提供实际波形与原始数据。尚未采用晶圆厂 PDK,因此尺寸不能作为工艺设计或制造依据。
来源对照
| 幻灯片 | PDF 页 | 书本页 | 讲解所在 PDF 页 |
|---|---|---|---|
| 021 | 50 | 51 | 50 |
| 022 | 50 | 51 | 50 |
| 023 | 51 | 52 | 50, 51 |
| 0235 | 67 | 68 | 67 |
| 0248 | 74 | 75 | 74 |
| 0272 | 86 | 87 | 86 |





