ANALOG DESIGN ESSENTIALS · CHAPTER 02

模型、符号与阅读方式

从电路方程到教材结论 · 每步必要近似 · 原图与讲解可追溯

第二章:模型、符号与阅读方式

这一章的推导对照原书幻灯片 021–0272。重复的模型合并成 20 组,索引仍逐张保留。目标是从图上的器件与连接创建方程,再判断教材结论在哪些条件下成立。

三种不同的结论

  • 模型内精确:由指定的小信号等效电路解出的式子,仍受该等效模型限制。
  • 有条件近似:明列被忽略的项、必要不等式及失效情况。
  • 教材差异/待厘清:原式的系数、符号或定义无法与同页模型一致时,保留原式并说明;不把不一致的公式标成已证明。

各组末尾的符号验算会对照 KCL 或矩阵解。数值曲线是这些方程的计算结果,不是 SPICE 或器件实验。

全章共同约定

符号 意义
s=jω, ω=2πfs=j\omega,\ \omega=2\pi f ff 用 Hz,ω\omega 用 rad/s;不可漏掉 2π2\pi
av=vo/via_v=v_o/v_i 有号电压传输;共源级的低频值为负
A0=∣av(0)∣A_0=|a_v(0)| 正值低频增益大小;教材部分 AvA_v 实际采此定义
go=1/rog_o=1/r_o 与原书 gDS,rDSg_{DS},r_{DS} 同义
VOV=VGS−VTV_{OV}=V_{GS}-V_T NMOS 过驱动;PMOS 使用 VSG−∣VTP∣V_{SG}-|V_{TP}|
K′,KPK',KP 本书 ID=K′(W/L)VOV2I_D=K'(W/L)V_{OV}^2,而 K′=KP/(2n)K'=KP/(2n);不能再多乘一次 1/21/2
VA=VELV_A=V_E L 本书 MOS 的有效厄利电压;避免与后文直接写成 VEV_E 的记法混淆
Gm=gmn+gmpG_m=g_{mn}+g_{mp} CMOS 反相器的总跨导;匹配时 Gm=2gmG_m=2g_m
RSR_S 请依各图分清「信号源串联电阻」与「源极负反馈电阻」;两者不是同一拓扑

第一章幻灯片 0121–0122 已定义 K′=KP/(2n)K'=KP/(2n) 与 gm=2ID/VOVg_m=2I_D/V_{OV}。第二章 029 的数值题必须使用这个定义。

每组推导共同继承的假设

ID 原始问题 → 采用模型 成立条件与理由 失效情况
A0 非线性 ID(V)I_D(V) → 工作点的一阶微分 id=gmvgs+gmbvbs+govdsi_d=g_mv_{gs}+g_{mb}v_{bs}+g_ov_{ds} 扰动足够小;二阶以上项比一阶项小 大信号、截止、离开饱和、失真分析
A1 DC 电压源 → AC 地;理想 DC 电流源 → AC 开路 理想偏置模型 真实偏置源有限阻抗必须另加 rBr_B 或其频率模型
A2 任意器件模型 → 本书长沟道强反转平方律 强反转、饱和、固定 K′K';推导 gmg_m 时采局部近似 弱反转、速度饱和、短沟道或 K′K' 随偏置显著变化
A3 一般四端 MOS → gmb=0g_{mb}=0 只有衬底接源极,或明确忽略体效应才可用 衬底固定、源极摆动;应保留 gmbg_{mb}
A4 完整寄生网络 → 该节明列的电容 被省略电容在关注频带的导纳足够小 隐藏极点、零点或前馈路径进入频带

「精确」均指 A0 等假设指定的模型内精确,不等同真实工艺的完全精确。

Physical / Causal SFG 核心原则

先列独立的局部物理约束,再选择电压、电流中间变量,最后按约束的因果方向建边。不先求整体传递函数,不默认全电压节点,也不消元为最少节点的 algebraic SFG。

  • MOS 跨导用电压 → 电流,电容用端电压差 → 电流,电阻/阻抗优先用电流 → 电压,电导用电压 → 电流。
  • 每个独立约束只用一次,禁止同时使用一个方程及其反解制造反馈。一个约束有多项时,各项分别建边,但共用同一约束编号。
  • 边系数优先保留独立器件的 gmg_m、gog_o、RR、ZZ、sCsC 或带符号的 1,避免预先揉合多个元件。
  • 输出固定为 A 节点与理由、B 独立约束、C 边表、D ASCII SFG、E 正向路径与反馈环路、F 逐边对应约束。
  • 原有整体公式与近似分析作为单独折叠资料保留,不用于倒推 SFG。

只有在反馈、前馈或局部环路值得解释时才画信号流图。

本章只选三组:

  1. 米勒电容:保留输入反馈及输出前馈,解释右半平面零点。
  2. 高频源极跟随器:保留 CGSC_{GS} 的双向耦合与正向旁路,解释极点和峰化。
  3. 增益增强:将辅助级明确展开为受控源、电阻和电容等效模型,保留局部负反馈与电容支路。

其余用微分、KCL、阻抗或二节点矩阵即可。SFG 采用 独立物理约束 JSON → A–F Markdown/边表/DOT → Graphviz → SVG;保留全部源文件和逐边约束编号。

理论推导与后续仿真的界线

本文档先完成理论推导与代数验算;各节原有数值图仍属方程计算。后续已另行运行 Spectre:包括 20 组的代表线性模型、MOS1 教学晶体管的 gm/Id 查表选尺寸、极零与瞬态。页面添加的「Spectre 仿真结果」入口提供实际波形与原始数据。尚未采用晶圆厂 PDK,因此尺寸不能作为工艺设计或制造依据。

来源对照

幻灯片 PDF 页 书本页 讲解所在 PDF 页
021 50 51 50
022 50 51 50
023 51 52 50, 51
0235 67 68 67
0248 74 75 74
0272 86 87 86
来源幻灯片与讲解定位(6 张)
原书幻灯片 021
021 · PDF 50/书本 51 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 022
022 · PDF 50/书本 51 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 023
023 · PDF 51/书本 52 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0235
0235 · PDF 67/书本 68 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0248
0248 · PDF 74/书本 75 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0272
0272 · PDF 86/书本 87 · 原图及完整讲解