ANALOG DESIGN ESSENTIALS · CHAPTER 02

二极管连接与有源负载

从电路方程到教材结论 · 每步必要近似 · 原图与讲解可追溯

本组继承 共同模型与假设。含教材符号、近似或模型差异,请连同相应说明阅读。

二极管连接与低阻抗负载放大器

对应:0217–0222。

0217–0219:栅极与漏极短接

NMOS VDS=VGS=VV_{DS}=V_{GS}=V,源极与衬底接地。导通时 V>VTV>V_T;对正阈值有 V≥V−VTV\ge V-V_T,因此在长沟道饱和区:

ID=K′WL(V−VT)2.I_D=K'\frac WL(V-V_T)^2.

同一端口的小电压使 vgs=vds=vv_{gs}=v_{ds}=v:

i=(gm+go)v,rd=1gm+go=(1/gm)∥ro.i=(g_m+g_o)v,\quad r_d=\frac1{g_m+g_o}=(1/g_m)\parallel r_o.

加入 CGS+CDSC_{GS}+C_{DS};CGDC_{GD} 两端短接:

Zd(s)=1gm+go+s(CGS+CDS),BW=gm+go2π(CGS+CDS).Z_d(s)=\frac1{g_m+g_o+s(C_{GS}+C_{DS})},\qquad BW=\frac{g_m+g_o}{2\pi(C_{GS}+C_{DS})}.

先用 go≪gmg_o\ll g_m,再用 CDS≃CGSC_{DS}\simeq C_{GS},才得到 BW≃fT/2BW\simeq f_T/2,其中 fT≃gm/(2πCGS)f_T\simeq g_m/(2\pi C_{GS})。两个电容接近相等是教材的额外数值假设。

0220:上方 NMOS 二极管负载

M1 源极接地;M2 栅极、漏极接 AC 地的 VDDV_{DD},源极接输出。从输出看 M2 的导纳为 gm2+gmb2+go2g_{m2}+g_{mb2}+g_{o2}:

[go1+go2+gm2+gmb2]vo=−gm1vi.[g_{o1}+g_{o2}+g_{m2}+g_{mb2}]v_o=-g_{m1}v_i. av=−gm1gm2+gmb2+go1+go2,Rout=1gm2+gmb2+go1+go2.a_v=-\frac{g_{m1}}{g_{m2}+g_{mb2}+g_{o1}+g_{o2}},\quad R_{\rm out}=\frac1{g_{m2}+g_{mb2}+g_{o1}+g_{o2}}.

忽略体效应与 gog_o 才得到增益大小 gm1/gm2g_{m1}/g_{m2}。在两管同电流、同 K′K'时:

gm1gm2=(W/L)1(W/L)2=VOV2VOV1.\frac{g_{m1}}{g_{m2}} =\sqrt{\frac{(W/L)_1}{(W/L)_2}} =\frac{V_{OV2}}{V_{OV1}}.

DC 有 VO=VDD−VGS2(VO)V_O=V_{DD}-V_{GS2}(V_O)。M2 衬底接地时,VT2V_{T2} 随 VOV_O 变化;DC 与 AC 的体效应都不能凭空消失。

0221:两管源极接地,电流源供应总电流

M1 漏极与二极管连接 M2 的栅极/漏极同接输出;总电流源为 2IB2I_B:

I1+I2=2IB,(go1+go2+gm2)vo=−gm1vi.I_1+I_2=2I_B,\quad (g_{o1}+g_{o2}+g_{m2})v_o=-g_{m1}v_i.

所以小信号式等于上一节移除 gmb2g_{mb2}。一般跨导比为

gm1gm2=K1′(W/L)1I1K2′(W/L)2I2.\frac{g_{m1}}{g_{m2}}= \sqrt{\frac{K'_1(W/L)_1 I_1}{K'_2(W/L)_2 I_2}}.

只有选 I1=I2=IBI_1=I_2=I_B,才化为尺寸比平方根。若同时要求 VO,DC=VI,DCV_{O,DC}=V_{I,DC} 且阈值相同,则两管 VOVV_{OV} 相同;再要求等电流,便必须尺寸相同,增益大小为 1。

教材对照:「同 DC 输入输出、任意尺寸比增益、等电流」不能全部当成独立且同时成立的条件。

用平方律还可直接解 0221 的 DC 曲线:

VO=VT+2IB−k1(VI−VT)2k2.V_O=V_T+\sqrt{\frac{2I_B-k_1(V_I-V_T)^2}{k_2}}.

只要根号内为正且两管维持饱和,对它微分就得到 av=−k1(VI−VT)/[k2(VO−VT)]=−gm1/gm2a_v=-k_1(V_I-V_T)/[k_2(V_O-V_T)]=-g_{m1}/g_{m2}。 若 VO=VIV_O=V_I,此时增益大小为 k1/k2k_1/k_2;只有另选等电流时才采平方根尺寸比。名字中的「linear」不代表整条 DC 曲线严格线性。

0222:M2 栅极改接输入

两管源极、漏极、栅极分别相接,等效跨导相加:

Gm=gm1+gm2,av=−Gm(ro1∥ro2),Rout=ro1∥ro2.G_m=g_{m1}+g_{m2},\quad a_v=-G_m(r_{o1}\parallel r_{o2}),\quad R_{\rm out}=r_{o1}\parallel r_{o2}.

教材的 gmRoutg_mR_{\rm out} 若要成立,gmg_m 必须表示合并后的总跨导。

必要近似

原式 → 简式 条件 失效情况
1/(gm+go)→1/gm1/(g_m+g_o)\to1/g_m gmro≫1g_mr_o\gg1 低增益器件
CGS+CDS→2CGSC_{GS}+C_{DS}\to2C_{GS} 两个电容接近,其他电容可忽略 不同偏置/尺寸
负载导纳 →gm2\to g_{m2} gmb2,go1,go2≪gm2g_{mb2},g_{o1},g_{o2}\ll g_{m2} 上方 NMOS 的体效应
跨导比 → 尺寸比平方根 I1=I2I_1=I_2、同 K′K' 0221 一般会不等分流

不用 SFG:短接已直接化成端口导纳,KCL 更简单。

来源对照

幻灯片 PDF 页 书本页 讲解所在 PDF 页
0217 58 59 58
0218 58 59 58
0219 59 60 58, 59
0220 59 60 59
0221 60 61 60
0222 60 61 60

Spectre 仿真结果

本推导组的代表模型已完成 Spectre 验证;覆盖范围以所列网表为准,未逐一搭建所有幻灯片电路。

线性 AC 2 · MOS 电路 1 · 极零 0 · 瞬态 0:所列检查全部通过。

案例:diode_z、diode_load、mos_diode_load

查看本组波形、模型条件与 CSV → · 仿真 Markdown 解释

来源幻灯片与讲解定位(6 张)
原书幻灯片 0217
0217 · PDF 58/书本 59 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0218
0218 · PDF 58/书本 59 · 原图及完整讲解
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原书幻灯片 0221
0221 · PDF 60/书本 61 · 原图及完整讲解
原书幻灯片 0222
0222 · PDF 60/书本 61 · 原图及完整讲解