二极管连接与低阻抗负载放大器
对应:0217–0222。
0217–0219:栅极与漏极短接
NMOS VDS=VGS=V,源极与衬底接地。导通时 V>VT;对正阈值有 V≥V−VT,因此在长沟道饱和区:
ID=K′LW(V−VT)2.
同一端口的小电压使 vgs=vds=v:
i=(gm+go)v,rd=gm+go1=(1/gm)∥ro.
加入 CGS+CDS;CGD 两端短接:
Zd(s)=gm+go+s(CGS+CDS)1,BW=2π(CGS+CDS)gm+go.
先用 go≪gm,再用 CDS≃CGS,才得到 BW≃fT/2,其中 fT≃gm/(2πCGS)。两个电容接近相等是教材的额外数值假设。
0220:上方 NMOS 二极管负载
M1 源极接地;M2 栅极、漏极接 AC 地的 VDD,源极接输出。从输出看 M2 的导纳为 gm2+gmb2+go2:
[go1+go2+gm2+gmb2]vo=−gm1vi.
av=−gm2+gmb2+go1+go2gm1,Rout=gm2+gmb2+go1+go21.
忽略体效应与 go 才得到增益大小 gm1/gm2。在两管同电流、同 K′时:
gm2gm1=(W/L)2(W/L)1=VOV1VOV2.
DC 有 VO=VDD−VGS2(VO)。M2 衬底接地时,VT2 随 VO 变化;DC 与 AC 的体效应都不能凭空消失。
0221:两管源极接地,电流源供应总电流
M1 漏极与二极管连接 M2 的栅极/漏极同接输出;总电流源为 2IB:
I1+I2=2IB,(go1+go2+gm2)vo=−gm1vi.
所以小信号式等于上一节移除 gmb2。一般跨导比为
gm2gm1=K2′(W/L)2I2K1′(W/L)1I1.
只有选 I1=I2=IB,才化为尺寸比平方根。若同时要求 VO,DC=VI,DC 且阈值相同,则两管 VOV 相同;再要求等电流,便必须尺寸相同,增益大小为 1。
教材对照:「同 DC 输入输出、任意尺寸比增益、等电流」不能全部当成独立且同时成立的条件。
用平方律还可直接解 0221 的 DC 曲线:
VO=VT+k22IB−k1(VI−VT)2.
只要根号内为正且两管维持饱和,对它微分就得到
av=−k1(VI−VT)/[k2(VO−VT)]=−gm1/gm2。
若 VO=VI,此时增益大小为 k1/k2;只有另选等电流时才采平方根尺寸比。名字中的「linear」不代表整条 DC 曲线严格线性。
0222:M2 栅极改接输入
两管源极、漏极、栅极分别相接,等效跨导相加:
Gm=gm1+gm2,av=−Gm(ro1∥ro2),Rout=ro1∥ro2.
教材的 gmRout 若要成立,gm 必须表示合并后的总跨导。
必要近似
| 原式 → 简式 |
条件 |
失效情况 |
| 1/(gm+go)→1/gm |
gmro≫1 |
低增益器件 |
| CGS+CDS→2CGS |
两个电容接近,其他电容可忽略 |
不同偏置/尺寸 |
| 负载导纳 →gm2 |
gmb2,go1,go2≪gm2 |
上方 NMOS 的体效应 |
| 跨导比 → 尺寸比平方根 |
I1=I2、同 K′ |
0221 一般会不等分流 |
不用 SFG:短接已直接化成端口导纳,KCL 更简单。
来源对照
Spectre 仿真结果
本推导组的代表模型已完成 Spectre 验证;覆盖范围以所列网表为准,未逐一搭建所有幻灯片电路。
线性 AC 2 · MOS 电路 1 · 极零 0 · 瞬态 0:所列检查全部通过。
案例:diode_z、diode_load、mos_diode_load
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